“快充”无非就是快速充电器，它从某种意义上主要是用于补充充电技术进步略慢的短板——那么既然无法在已有的体积下利用大幅增加电池容量的方式来改善续航水平，那就可以通过加速手机的充电速度来加强手机续航能力，比如当初OPPO喊出来的创意广告词“充电五分钟，通话两小时”就能很好地表明快速充电带来的快乐。

现阶段，快速充电通常都会与“氮化镓”同时存在，什么原因氮化镓可以担此重任呢？

举例说明，一般情况下常见的数码产品，比如智能手机、平板电脑等所需的是一定额度以下的直流电，但是目前国家统一的额定电压为220V，因而我们一定要把电厂输送到家庭的220V交流电转换成合适的直流电，这个时候就需要变压器或充电器进行转换，没有数码产品可以例外。显然，电力转换技术在我们日常生活中不可或缺。而在电力转换系统中，最为关键的一部分就是功率半导体元件，它性能的好坏将决定这个电力转换系统的优劣。

为了能制作出好的功率半导体元件，就必须要采用合适的半导体材料。现阶段较为常见的半导体材料为Si，但是经过数十年的开发应用，Si的潜力基本已经发挥到极致，无法在性能上更进一步，这便是氮化镓（GaN）逐渐兴起的原因之一。

氮化镓的优点

好好看看氮化镓的最基本特点，氮化镓GaN与硅相比，拥有禁带宽度大、临界击穿电场大、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定等特点。之所以能够得到快速充电产业的青睐，主要原因有以下两点：

一、热性能卓越。因为硅器件的性能限制，在中高功率应用时，往往需要辅助被动散热（To封装或散热片），这也是造成开关电源体积增加的主要原因之一。氮化镓器件在性能上远远抛离日益陈旧的功率MOSFET器件，拥有更低导通电阻、更低电容、更大电流及卓越的热性能。这种优良特点，让氮化镓功率器件基本上可以完完全全摆脱传统式的辅助被动散热方式，而依靠PCB覆铜、过孔搪锡等小范围的方式实现散热。抛弃了笨重的辅助被动散热设施，体积将可做得更为小巧。

二、GaN高频率特点带来高效。一般而言，要提升开关电源产品的功率密度（即同等体积下，输出功率越高），最先关注的是进一步提高开关频率，可以有效的减小变压器、滤波电感、电容的体积，而GaN的材料性能刚好可以满足这一要求。

综合性而言，氮化镓GaN元器件拥有通态电阻小、开关速度快、耐高温、耐压高性能好等特点，拥有硅元器件所不具备的优点，的确特别适合采用在电力转换系统中。